张曙光科研成果

更新日期：2018年9月3日 姓 名 张曙光 性 别 男 出生年月 1984年10月 籍贯 山东昌邑市 民 族 汉族 政治面貌 中国共产党党员 最后学历 博士研究生 最后学位 工学博士 技术职称 副教授 导师类别 硕导 行政职务 Email mssgzhang@scut.edu.cn 工作单位 材料科学与工程学院 邮政编码 510641 通讯地址 广州市天河区五山路381号 单位电话 18620232075 个人简介 张曙光，男，1984年生，华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室副教授、硕士生导师。2004-2008就读于北京科技大学材料学院，获学士学位；2008-2013就读于中国科学院大学半导体研究所，获博士学位；2013年作为优秀青年教师加入华南理工大学材料学院任教至今，其中2016-2017年在美国佐治亚理工学院任高级访问学者。长期致力于III-V族化合物半导体材料与器件、钙钛矿基材料及光电器件、表面等离子体光学等方面的研究。主持/参与国家自然科学基金、国防973项目课题、广东省科技计划等科研项目10余项。已在Appl. Phys. Lett.、Small、Nanoscale等国际顶级期刊上发表SCI论文40余篇，论文被SCI引用700余次；获授权中国发明专利10余项、美国专利1项、新加坡专利1项；在国内外学术会议作邀请报告10余次。研究成果曾获广东省技术发明二等奖、中国科学院院长奖等奖励。 工作经历 2013.07-2017.09  华南理工大学     讲师2016.12-2017.12  美国佐治亚理工  访问学者2017.09-今           华南理工大学      副教授 教育经历 2004.09-2008.07  北京科技大学     学士2008.09-2013.07  中国科学院大学  博士 获奖、荣誉称号 2013 中国科学院院长奖2013 中国科学院优秀毕业生2013 北京市优秀毕业生2015 广东省科技进步二等奖2018 材料学院毕业生“最喜爱的任课老师” 社会、学会及学术兼职 无 研究领域 长期致力于III-V族化合物半导体材料与器件、钙钛矿基材料及光电器件、表面等离子体光学等方面的研究。 科研项目 主持/参与国家自然科学基金、国防973项目课题、广东省科技计划、广州市科技计划、中央高效基本科研业务费等科研项目 发表论文 代表性论文[1] L. Wen, F. L. Gao, Y. F. Yu, Z. Z. Xu, Z. K. Liu, P. Gao, S. G. Zhang*, and G. Q. Li*, Enhancing the Photovoltaic Performance of GaAs/graphene schottky junction solar cells by interfacial modification with self assembled Alkyl Thiol monolayer. J. Mater Chem. A, 58, 135-139 (2018).[2] X. T. Meng, X. Cui, M. Rager, S. G. Zhang, Z. W. Wang, J. Yu, Y. Harn, Z. Kang, B. K. Wagner, Y. Liu, C. Yu, J. S. Qiu*, and Z. Q. Lin*, Cascade charge transfer enabled by incorporating edge-enriched graphene nanoribbons for mesostructured perovskite solar cells with enhanced performance. Nano energy, 52, 123-133 (2018).[3] F. L. Gao, L.Wen, Z. Z. Xu, J. L. Han, Y. F. Yu, S. G. Zhang*, and G. Q. Li*，Growth of InN nanowires with uniform diameter on Si(111) substrates: competition between migration and desorption of In atoms. Small, 13, 1603775-6 (2017).[4] Y. Chen, D. Yang, Y. J. Yoon, X. C. Pang, Z. W. Wang, J. Jung, Y. He, Y. W. Harn, M. He, S. G. Zhang, G. Z. Zhang*, and Zhiqun Lin*, Hairy Uniform Permanently Ligated Hollow Nanoparticles with Precise Dimension Control and Tunable Optical Properties. J. Am. Chem. Soc., 139, 12956-12967 (2017).[5] L. Wen, F. L. Gao, S. G. Zhang, and G. Q. Li*, Growth of InAs quantum dots on GaAs (511) A substrates: the competition between thermal dynamics and kinetics. Small, 12, 4277 (2016).[6] J. L. Li, S. G. Zhang*, F. L. Gao, L. Wen, and G. Q. Li*, The temperature dependence of atomic incorporation characteristics in growing GaInNAs films. J. Appl. Phys., 117, 055304-6 (2015).[7] S. G. Zhang*, et al., Plasmon-enhanced ultraviolet photoluminescence from highly ordered ZnO nanorods/graphene hybrid structure decorated with Au nanospheres. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 495103 (2014).[8] S. G. Zhang, X. W. Zhang et al., Raman peak enhancement and shift of few-layer graphene induced by plasmonic coupling with silver nanoparticles. Appl. Phys. Lett., 104, 121109 (2014).[9] S. G. Zhang, X. W. Zhang et al., Ordered ZnO nanorods-based heterojunction light-emitting diodes with graphene current spreading layer. Appl. Phys. Lett., 101, 121104 (2012).[10] S. G. Zhang, X. W. Zhang et al., Localized surface plasmon-enhanced electroluminescence from ZnO-based heterojunction light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett., 99, 181116-3(2011). 出版专著和教材 无 科研创新 1. 张曙光，尹志岗，张兴旺，游经碧，制作ZnO基异质结发光二极管的方法，中国发明专利，专利号：ZL 201010183370.5，授权公告日：2012年9月5日。2. 张曙光，张兴旺，尹志岗，董敬敬，游经碧，改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，中国发明专利，专利号：ZL 201010607413.8，授权公告日：2012年7月4日。3. 张曙光，李国强，高芳亮，温雷，徐珍珠，一种等离激元增强GaAs基多结太阳电池及其制备方法，中国发明专利，申请日期：2017年01月23日，专利号：ZL201710057830.1，授权公告日：2018年04月13日。4. 张曙光，李国强，温雷，高芳亮，李景灵，生长在GaAs衬底上的InAs量子点及其制备方法，中国发明专利，申请日期：2015年06月29日，专利号：ZL201510373122.X，授权公告号：CN105006426B，授权公告日：2018年06月22日。5. 张曙光，李国强，温雷，高方亮，李景灵，生长在GaAs衬底上的InAs量子点，实用新型专利，申请日期：2015年06月29日，专利号：ZL 201520458641.1，授权公告日：2016年01月20日。6. 张曙光，李国强，高芳亮，温雷，徐珍珠，一种等离激元增强GaAs基多结太阳电池，实用新型专利，申请日期：2017年01月23日，专利号：ZL201720105272.7，授权公告日：2017年08月18日。7. 李国强，张曙光，温雷，高方亮，徐珍珠，生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，实用新型专利，申请日：2017年01月23日，专利号：ZL 201720105271.2，授权公告日：2017年10月17日。8. 李国强，张曙光，王凯诚，生长在GaAs衬底上n-InGaAs薄膜，实用新型专利， 申请日：2016年10月28日，专利号：ZL201621186039.8，授权公告日：2017年04月19日。9. 李国强，高芳亮，张曙光，生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，实用新型专利，申请日期：2016年12月27日， 专利号：ZL201621450923.8，授权公告日：2017年08月18日。10. 李国强，温雷，高芳亮，张曙光，李景灵，管云芳，生长在 Si 衬底上的 GaAs薄膜及其制备方法，中国发明专利，申请日期：2015年3月23日，专利号：ZL201510129129.7，授权公告日：2017年12月01日。 教学活动 本科生课程：<电磁场与电磁波><结晶化学><科技论文写作>研究生课程：<半导体器件物理> 指导学生情况 1. 指导本科生毕业论文15人次，2人获得院优秀论文；2. 指导本科生开展SRP研究； 内容来自集群智慧云企服 实用新型专利1875代写全部资料全国受理