汪青科研成果

教师主页 团队成员 科研项目 研究领域 学术成果 教学 科研分享 新闻动态 疼痛医学中心 成果介绍 软件 毕业去向 加入我们 联系我们 汪青 研究教授/博士生导师 深港微电子学院 汪青博士，南方科技大学深港微电子学院研究教授、博士生导师，深圳市高层次人才，IEEE EDS (Electron Devices Society) Power Devices and ICs 委员会委员，长期从事 GaN材料和器件领域研究工作，先后主持了国自然青年基金项目、广东省基础与应用基础研究青年提升项目、广东省科技计划项目、深圳市基础研究重点项目和面上项目、中国博士后科学基金面上项目等，累计发表SCI/EI论文50余篇。授权/申请国内发明专利40余项和PCT专利5项，参与制定1项行业标准和2项团体标准。 个人简介 个人简介 研究领域 GaN功率器件及电源系统 GaN射频器件及PA模块 学术成果 查看更多 代表专利 一种GaN器件及其制备方法，授权发明专利 一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，授权发明专利 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法，授权发明专利 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底，授权发明专利 一种GaN基复合衬底的制备方法，授权发明专利 一种提高有机电致发光器件性能的阳极修饰方法，授权发明专利 片外大功率输出级最佳直流偏置的自适应校准电路，PCT专利，审中。 一种应用于单工通信的可重构高精度模_数，数_模转换器，PCT专利，审中。 兰姆波谐振器及其制备方法，PCT专利，审中。 一种InAlN射频器件的制备方法，PCT专利，审中。 无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法，发明专利，审中。 一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途，发明专利，审中。 P型氮化镓基器件、其欧姆接触系统、及其电极制备方法，发明专利，审中。 一种图形化欧姆接触电极的制备方法，发明专利，审中。 一种气体传感器及其制备方法，发明专利，审中。 一种体声波谐振器的制备方法，发明专利，审中。 一种氮化镓气体传感器的集成方法，发明专利，审中。   代表性论文： Yang Jiang, Wenmao Li, Fangzhou Du, Robert Sokolovskij, Yi Zhang, Shuhui Shi, Weiguo Huang, Qing Wang,* Hongyu Yu* and Zhongrui Wang*. “Comprehensive review of gallium nitride (GaN)-based gas sensors and their dynamic responses”, Journal of Materials Chemistry C, 2023, accepted. Chuying Tang, Chun Fu, Yang Jiang, Minghao He, Chenkai Deng, Kangyao Wen; Jiaqi He, Peiran Wang, Fangzhou Du, Yi Zhang, Qiaoyu Hu; Nick Tao; Qing Wang* and HongYu Yu*，” Carrier transport mechanism of Mg/Pt/Au Ohmic contact on p-GaN/AlGaN/GaN platform with ultra-low resistivity”. Applied Physics Letters，123, Issue 9, 092104 (2023). Jiaqi He, Kangyao Wen, Peiean Wang, Minghao He, Fangzhou Du, Yang Jiang, Chuying Tang, Nick Tao, Qing Wang*, Gang Li*, and Hongyu Yu*, Interface charge engineering on an in-situ SiNx/AlGaN/GaN platform for normally-off GaN MIS-HEMTs with improved breakdown performance, Applied Physics Letters (2023), accepted. Minghao He ; Kangyao Wen; Chenkai Deng; Mujun Li; Yifan Cui; Qing Wang* ; Hongyu Yu*; Kah-Wee Ang*; “Charge Trapping Layer Enabled Normally-Off β-Ga2O3 MOSFET,” in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 6, pp. 3191-3195, June 2023. Chenkai Deng, Wei-Chih Cheng, XiGuang Chen, KangYao Wen, MingHao He, ChuYing Tang, Peiran Wang, Qing Wang*, HongYu Yu*; Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs using dual-layer SiNx stressor passivation. Applied Physics Letters. 5 June 2023; 122 (23): 232107. Yang Jiang, Dingchen Wang, Ning Lin, Shuhui Shi, Yi Zhang, Shaocong Wang, Xi Chen, Hegan Chen, Yinan Lin, Kam Chi Loong, Jia Chen, Yida Li, Renrui Fang, Dashan Shang*, Qing Wang*, Hongyu Yu* and Zhongrui Wang*. “Spontaneous Threshold Lowering Neuron using Second-Order Diffusive Memristor for Self-Adaptive Spatial Attention”, Advanced Science, 2023, 2301323. Honghao Lu, Kangyao Wen, Fangzhou Du, Chuying Tang, Wei-Chih Cheng, Bowen Wei, Honglin Li, Qing Wang*, Hongyu Yu*. “Quasi-normally off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with p-type CuOx gate synthesized through magnetron reactive sputtering”, Materials Science in Semiconductor Processing, 154(2023): 107221 Chu-Ying Tang, Hong-Hao Lu, Ze-Peng Qiao, Yang Jiang, Fang-Zhou Du, Jia-Qi He, Yu-Long Jiang*, Qing Wang*, and Hong-Yu Yu*, Ohmic Contact with a Contact Resistivity of 12 Ω·mm on p-GaN/AlGaN/GaN, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(9): 1412–1415. Yang Jiang, FangZhou Du, JiaQi He, ZePeng Qiao, ChuYing Tang, XinYi Tang, ZhongRui Wang, Qing Wang*, HongYu Yu*，”Microscopic formation mechanism of Si/Tl5Al1/TiN ohmic contact on non-recessed i-InAlN/GaN heterostructures with ultra-low resistance”. Applied Physics Letters. 121, 212105 (2022) Wei-Chih Cheng, Jiaqi He, Minghao He, Zepeng Qiao, Yang Jiang, Fangzhou Du, Xiang Wang, Haimin Hong, Qing Wang*, and Hongyu Yu*.” Low trap density of oxygen-rich HfO2/GaN interface for GaN MIS-HEMT applications”. Journal of Vacuum Science and Technology B, 2022, 40(2) Fangzhou Du, Yang Jiang, Zepeng Qiao, Zhanxia Wu, Chuying Tang, Jiaqi He, Guangnan Zhou, Wei-Chih Cheng, Xinyi Tang, Qing Wang*, and Hongyu Yu*. “Atomic layer etching technique for InAlN/GaN heterostructure with AlN etch-stop layer.” Materials Science in Semiconductor Processing: 143, 2022. Yi Zhang , Yi Deng , Yinan Lin , Yang Jiang , Yujiao Dong , Xi Chen , Guangyi Wang ,Dashan Shang , Qing Wang *, Hongyu Yu * and Zhongrui Wang *, “Oscillator-Network-Based Ising Machine”, Micromachines (Basel). 2022 Jun 27;13(7):1016. 2022, 13(7). Jiaqi He; Wei-Chih Cheng; Yang Jiang; Mengya Fan; Guangnan Zhou; Gaiying Yang; Lingli Jiang; Xiang Wang; Zhanxia Wu; Qing Wang*; Hongyu Yu*. Distinguishing various influences on the electrical properties of thin-barrier AlGaN/GaN heterojunctions with in-situ SiNx caps[J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, 132(6798):105907. Wei-Chih Cheng; Fanming Zeng; Minghao He; Qing Wang*; Mansun Chan; Hongyu Yu*. (2020). Quasi-Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs with SiNx Stress Liner and Comb Gate for Power Electronics Applications. IEEE Journal Of The Electron Devices Society,8, 1138-1144. 代表著作： 英文著作: Wang Qing, Yu Gang, Wang Jian, Organic Light-Emitting Materials and Devices (第一章), CRC Press, ISBN-13: 978-1-4398-8223-8, 2015. 新闻动态 更多新闻 我院与国人通信举行合作交流会 2019-12-14 南方科技大学未来通信集成电路教育部工程研究中心揭牌仪式举行 2019-12-14 南科大深港微电子学院教授于洪宇课题组在《IEEE EDL》发表AlGaN/GaN欧姆接触重要研究进展 2019-12-14 加入团队 南方科技大学深港微电子学院（以下简称：深港微电子学院）是在习近平总书记做出“促进香港同内地加强科技合作”重要指示的背景下，南方科技大学为积极贯彻落实《国家集成电路产业发展推进纲要》和《关于支持有关高校试办示范性微电子学院的通知》粤港澳大湾区战略规划以及深圳市建设中国特色社会主义先行示范区的相关精神，基于创新的办学理念和机制，与大湾区世界著名高校合作建设的二级学院。深港微电子学院汇聚了大湾区世界著名高校的优势教学资源，目标建设成为国际化、高水平、研究型的国际一流的国家级示范性微电子学院。学院目前已经与大湾区香港科技大学、香港理工大学、香港大学、澳门大学达成合作办学意愿，签署合作框架协议，在本科生交换、修课型硕士生联培、博士生联培等方面合作制定了计划。学院着力打造真正符合市场需求、具有国际竞争力的4个研究中心，即IC设计方法与EDA研究中心、系统集成研究中心、宽禁带半导体研究中心和芯片应用研究中心，以及对标世界一流高校的“超越摩尔”微纳工艺平台和测试分析平台。在科研领域已获得多个国家级和省市级资质，包括国家示范性微电子学院（全国28家，华南地区仅有3家），教育部未来通信集成电路工程研究中心，广东省GaN器件工程技术研究中心和深圳市第三代半导体器件重点实验室。围绕半导体产业链，加强核心技术研发与人才培养，对包括深圳、香港、澳门在内的整个粤港澳大湾区，乃至全国的集成电路产业的发展起到良好的支撑作用。学院在本科、硕士、博士层次办学，在微电子学科开展研究。本科招生专业为微电子科学与工程专业；研究生招生专业为电子科学与技术。学院高度重视人才引进和高水平师资队伍建设，已初步建立了一支国际化高水平的教师队伍，全体教师都具有海外留学或工作的经历，胜任全英文教学。学院按照1：10师生比配备教师队伍，其中教研系列教师35名，研究系列/教学系列教师20人，兼职教师、客座教授等多名，工程师系列人员10名，另外学院还将聘请集成电路产业界资深人员作为兼职或客座教授，打造高水平专职兼职相结合的教师队伍。目前南方科技大学、香港科技大学、香港理工大学、香港大学、澳门大学积极参与学院教学、科研的师资共计48人。截止2019年11月，学院现有全职教学系列/研究系列教师21人。此外，学院加强与企业的“产教融合、协同育人、引导就业、吸引人才”工作，与行业知名集成电路企业如海思、中兴、Arm中国、国人通信、江波龙、国微集团、紫光同创等合作，联合共建研究中心、联合实验室，开展产学研项目合作等。打造完整的政产学研用体系，使学院研究成果得以充分转化，助力粤港澳大湾区经济发展。深港微电子学院规划总建筑面积7万平方米，主要包括教学科研与实验室；微纳工艺与检测平台；产学研合作、校企合作；四个研究中心；成果转化、创新创业、学生宿舍等空间。学院建成后将满足1000名在校生的办学需求。 查看更多 联系我们 联系地址 广东省深圳市南山区学苑大道1088号南方科技大学工学院北楼119 办公电话 0755-88015736 电子邮箱 wangq7@sustech.edu.cn

内容来自集群智慧云企服 请访问正版网址 www.jiqunzhihui.net