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马俊科研成果

发布日期:2024-04-06 专利申请、商标注册、软件著作权、资质办理快速响应 微信:543646


马俊
姓名 马俊 性别
学校 南方科技大学 部门 电子与电气工程系
学位 学历
职称 助理教授 联系方式 台州楼212室
邮箱 maj3@sustech.edu.cn    
软件产品登记测试全国受理 软件著作权666元代写全部资料全国受理 实用新型专利1875代写全部资料全国受理
马俊

教师主页 科研项目 研究领域 学术成果 教学 科研分享 新闻动态 疼痛医学中心 成果介绍 软件 毕业去向 加入我们 联系我们 马俊 Google Scholar 助理教授 电子与电气工程系 马俊博士自2008年起先后在厦门大学、三安光电、香港科技大学和瑞士洛桑联邦理工学院等单位从事 氮化镓 (GaN)的外延、器件和单片集成等方面的研究工作,累计在 IEDM,ISPSD, IEEE EDL,IEEE TED,APL等器件领域的国际主流会议和高水平期刊发表论文 50 余篇,并担任 IEEE EDL,IEEE TED,APL等多个期刊的审稿人。2020年6月,马俊博士加入南方科技大学电子与电气工程系担任助理教授、副研究员,继续从事有关 GaN 外延、器件、集成电路和 ESD 等方面的研究。 近年来,马俊博士开发了包括三维场板、斜向三维栅、高压多沟道高迁移率晶体管及肖特基二极管、多沟道平面栅晶体管等在内的多项原创性技术,并研发出了许多具有前沿性的高性能 GaN 电子器件。这些技术获得了学术界和工业界的广泛关注,十余次被国际知名的半导体业界媒体报道。2017年,半导体行业知名杂志 Compound Semiconductor 的评论文章认为马俊博士的工作代表了未来氮化镓电力电子器件发展的两个趋势之一。2019年,马俊博士研发的 1200 V 多沟道 GaN-on-Si 高迁移率晶体管创造了该类器件功率品质因子的新纪录,被包括 Nature Electronics, Compound Semiconductor, Semiconductor Today 在内的多家知名半导体杂志报道。 人生路漫漫,半导体常相伴,欢迎有志从事宽禁带半导体研究的同学和同仁加入马俊博士的课题组。详细事宜请联系 maj3@sustech.edu.cn 个人简介 教育经历: 2015.05 - 2020.08    瑞士洛桑联邦理工大学(EPFL),微系统与微电子,博士学位,导师:Elison Matioli 教授 2011.09 - 2014.06     香港科技大学,电子与计算机工程,硕士学位,导师:刘纪美教授 2005.09 - 2009.06   厦门大学,微电子,学士学位,导师:康俊勇教授、李书平教授 2005.09 - 2009.06   厦门大学,经济学,学士学位 工作经历: 2020.06 至今             南方科技大学,助理教授、副研究员 2019.08 - 2020.02    瑞士洛桑联邦理工大学,研究助理 2010.06 - 2011.08     香港科技大学,研究助理 2009.06 - 2010.01     三安光电股份有限公司,外延工程师 个人简介 研究领域 宽禁带和超宽禁带半导体材料 新型氮化镓射频和电力电子器件 氮化镓集成电路 静电放电(ESD) MOCVD外延生长  学术成果 查看更多 加入团队 人生路漫漫,半导体常相伴。欢迎有志从事宽禁带半导体研究的同学和同仁加入课题组。同心携手,一起努力。目前可申请的职位包括:研究助理教授、博士后研究员、研究助理。我们同样欢迎校内外的优秀同学申请加入课题组,成为南科大的博士研究生和硕士研究生。本科同学如果有兴趣尝试半导体相关的研究工作,亦可申请加入课题组。具体的有关事宜请联系 maj3@sustech.edu.cn 一、招聘岗位:        博士后研究员(税后年薪33-41万/年),条件优秀且有博士后经历者亦可申请研究助理教授职位(年薪35万起),研究助理的薪酬面谈。 二、岗位职责:        1. 协助 PI 制定研究计划,相对独立地开展研究工作并发表高水平学术论文;        2. 协助课题组申请项目经费,并在积极以负责人身份依托课题组申请博士后科学基金、国家自然科学基金委青年项目及其他各级课题;        3. 协助课题组建设和管理,协助 PI 指导博士生、硕士生、本科生。 三、招聘要求:        1. 恪守学术道德准则,恪守学术道德准则,恪守学术道德准则;(重说三)        2. 相关专业博士学位,且具备较强科研能力和良好的英文读写能力;(研究助理无需博士学位);        3. 实事求是,认真负责,积极主动;        4. 在相关领域重要期刊或会议以第一作者身份发表论文1篇以上;(研究助理无论文要求)        5. 有清晰的职业规划 四、符合以下一项或几项条件者优先考虑:        1.  GaN 和 AlN 的相关经验;        2. 洁净间微纳制备的经验;        3. 熟悉半导体器件的测试和分析;        4. 第一作者发表 SCI 论文三篇以上。 五、福利待遇:           1. 年薪不低于33.5万元(含省市补贴),校长卓越博士后不低于50.7万元(含省市补贴);        2. 福利费参照学校教职工标准发放,并按深圳市有关规定参加社会保险及住房公积金;        3. 未使用校内周转宿舍或未依托学校使用深圳市公租房的博士后,可享受住房补贴;        4. 博士后在站期间享受两年共计2.5万学术交流经费资助;        5. 对于符合最新《深圳市新引进人才租房和生活补贴》相关政策要求的博士后,落户深圳后,可协助申请深圳市一次性租房和生活补贴3万元(免税,自主网上申请);        6. 博士后人员进站,可自愿选择落户深圳,其配偶和未成年子女可办理随迁入户;        7. 博士后子女入托、入学等按深圳市相关条例执行;        8. 课题组将协助博士后作为负责人聘期内申请博士后科学基金、国家自然科学基金及省、市各级课题;        9. 博士后出站选择留(来)深从事科研工作,且与本市企事业单位签订3年以上劳动(聘用)合同,深圳市政府给予每人30万元的科研启动经费;        10. 依据自身符合的条件,可申请 "深圳市孔雀计划C类人才"或者"深圳市后备级人才",享受5年160万的奖励津贴(免税)。 六、应聘方式:           有意应聘者请将以下材料发送至邮箱:maj3@sustech.edu.cn,并以“博士后应聘_本人姓名_毕业院校”为作为邮件标题:        1. 个人简历(包含完整的学术论文列表,中英文均可);        2. 代表性论文全文;        3. 其他科研成果说明(如专著、专利等);        4. 简明的工作总结和未来计划(两页以内)。  查看更多 联系我们 联系地址 台州楼212室 办公电话 电子邮箱 maj3@sustech.edu.cn

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