耿洪滨科研成果

基本信息 科学研究 教育教学 论文专著 新建主栏目 基本信息 名称 耿洪滨，男，汉族，1964年生。教授、博士生导师；哈尔滨工业大学材料科学与工程学院空间环境材料行为及评价技术实验室教师。 现承担《材料科学基础》和《机械工程材料》本科专业基础课程，长期从事材料与器件空间综合辐射环境损伤效应机制、多层结构单元热应力应变分布规律数值模拟研究以及大尺寸金属构件丝弧增材制造。作为主要成员，先后参与完成“空间环境材料行为与评价技术实验室”建设工作， 参与完成973-61343项目、国家重点自然科学基金等项目研究工作。 荣誉称号 名称 暂无填写 工作经历 名称 暂无填写 教育经历 名称 暂无填写 主要任职 名称 暂无填写 研究领域 名称 空间环境材料行为及评价技术 主要研究方向: 1.材料与器件综合环境损伤机理性能退化规律及表征 2. 多层结构单元热应力应变分布数值模拟与实验验证方法 3. 大尺寸金属结构件丝弧增材制造装备与工艺 团队成员 名称 暂无填写 讲授课程 名称 暂无填写 招生信息 名称 暂无填写 论文期刊 论文标题 Bias influence on ionizing radiation effects for 3CG130 PNP bipolar junction transistors 作者 Liu, Chaoming; Li, Xingji; Geng, Hongbin; Yang, Dezhuang; He, Shiyu 发表时间 期刊名称 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 期卷 v 670, p 6 简单介绍 论文标题 Radiation-induced damage and recovery effects in GG17 glass irradiated by 1 MeV electrons 作者 Wang, Qingyan ; Zhang, Zhonghua; Geng, Hongbin; Sun, Chengyue; Yang, Dezhuang; He, Shiyu; Hu, Zhaochu 发表时间 期刊名称 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 期卷 v 281, p 1 简单介绍 论文标题 Synergistic radiation effects on PNP transistors caused by protons and electrons 作者 Li, Xingji; Liu, Chaoming; Geng, Hongbin; Rui, Erming; Yang, Dezhuang; He, Shiyu 发表时间 期刊名称 IEEE Transactions on Nuclear Science, 期卷 v 59, n 2, 简单介绍 论文标题 The equivalence of displacement damage in silicon bipolar junction transistors 作者 Liu, Chaoming ; Li, Xingji; Geng, Hongbin; Rui, Erming; Guo, Lixin; Yang, Jianqun; Xiao, Liyi 发表时间 期刊名称 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 期卷 v 677, p 6 简单介绍 论文标题 Synergistic radiation effects on PNP transistors caused by protons and electrons 作者 Li, Xingji; Liu, Chaoming; Geng, Hongbin; Rui, Erming; Yang, Dezhuang; He, Shiyu 发表时间 期刊名称 IEEE Transactions on Nuclear Science 期卷 v 59, n 2 简单介绍 出版物 出版物名称 新编工程材料 作者 耿洪滨 吴宜勇 出版时间 2007-09-01 出版社 哈尔滨工业大学 简单介绍