张胜涛科研成果
发布日期:2024-05-10 专利申请、商标注册、软件著作权、资质办理快速响应 微信:543646
姓名 | 张胜涛 | 性别 | 张胜涛 |
学校 | 哈尔滨工业大学 | 部门 | 化工与化学学院 |
学位 | 张胜涛 | 学历 | 张胜涛 |
职称 | 联系方式 | 18846130714 | |
邮箱 | zhangshengtao@hit.edu.cn | ||
软件产品登记测试全国受理 软件著作权666元代写全部资料全国受理 实用新型专利1875代写全部资料全国受理 |
基本信息 科学研究 新建主栏目 基本信息 名称 张胜涛,男,1994年生,工学博士,2023年入选哈尔滨工业大学春雁英才计划。哈尔滨工业大学化工与化学学院新能源材料与器件专业教师,助理教授/讲师。主要从事新一代半导体材料制备过程仿真及晶体缺陷调控研究,以第一/通讯作者发表论文6篇,申请专利十余项,2021年获黑龙江省科技进步一等奖,2023年入选市科技创新人才。 教育经历 名称 2019.09-2023.06 博士 哈尔滨工业大学 化学工程与技术 2017.09-2019.06 硕士 哈尔滨工业大学 化学工程与技术 2013.09-2017.07 学士 哈尔滨工业大学 能源化学工程 工作经历 标题 工作经历 工作单位 哈尔滨工业大学 职位/职称 助理教授/讲师 起讫时间 2023.06-至今 简单介绍 荣誉称号 称号名称 黑龙江省科技进步一等奖 获奖时间 2021年 获奖地点 简单介绍 论文专著 名称 1. Zhang, S., Fu, G., Cai, H., Yang, J., Fan, G., Chen, Y., Li, T.*, Zhao, L*. Design and Optimization of Thermal Field for PVT Method 8-Inch SiC Crystal Growth. Materials 2023, 16, 767. 2. Zhang, S., Fu, H., Li, T.*, Fan, G.*, Zhao, L*. Study of Effect of Coil Movement on Growth Conditions of SiC Crystal. Materials 2023, 16, 281. 3. Fan G., Li T., Zhao L., Zhang S*. Study on Purification Technology of Silicon Carbide Crystal Growth Powder. Materials. 2022; 15(22):8190. 4. Zhang, S., Li, T., Fan, G., Zhao, L*. Optimization of thermal field of 150 mm SiC crystal growth by PVT method. RSC Adv., 2022,12, 19936-19945. 5. Zhang S., Yuan W., Fan G., Li T., Zhao L*. Influence of Temperature Field Distribution on the Growth of Aluminum Nitride Crystal by Simulation Technology. Crystals. 2022; 12(9):1320. 6. Zhang S., Fu H., Fan G., Li T., Han J., Zhao L*. Study on Deposition Conditions in Coupled Polysilicon CVD Furnaces by Simulations. Crystals. 2022; 12(8):1129. 7. Liang S., Zhang S., Zhao L*. Improvement of flow structure in electronic grade polycrystalline silicon reduction furnace based on numerical simulation. Journal of Synthetic Crystals.2019,48(03):545-549. 8. Li Y., Zhang S., He Y., Zhao L*. 3D numerical simulation of electronic grade polycrystalline silicon reduction furnace based on PolySim. Journal of Synthetic Crystals. 2019,48(01):144-148. 参编标准 名称 1. National standard: Defect spectrum of SiC crystal material (under development) 参与项目 名称 2022年,陕西省科技厅科技重大专项计划子课题 2021年,哈尔滨市科技专项 2021年,黑龙江省头雁团队子课题 2021年,国家重点研发计划子课题 2020年,黑龙江省重大科技成果转化项目 2019年,黑龙江省自然科学基金项目 荣誉奖项 名称 2023年,入选哈尔滨市科技创新人才 2023年,哈尔滨工业大学优秀毕业生 2021年,黑龙江省科技进步一等奖 (第三完成人) 2019年,哈尔滨工业大学优秀毕业生 2017年,哈尔滨工业大学优秀毕业生