刘炜科研成果

个人经历 personal experience 工作经历 教育经历 2021/7至今          西北工业大学 微电子学院 副教授 博士生导师2019/1-2021/6     西北工业大学 微电子学院 副教授 硕士生导师2018/7-2018/12   西北工业大学 软件与微电子学院 副教授2016/7-2018/7     中国科学院半导体研究所 博士后 2013/9-2016/6 中国科学院大学 微电子与固体电子学 研究生 博士 2005/9-2007/6 武汉大学物理科学与技术学院 微电子与固体电子学 研究生 硕士 2001/9-2005/6 武汉大学物理科学与技术学院 电子科学与技术 本科 学士 内容来自集群智慧云企服 发明专利4999元代写全部资料全国受理

教育教学

教育教学 Education and teaching 招生信息 课题组每年均招收硕士/博士研究生，研究经费充足，欢迎对半导体光电子技术感兴趣，且具有微电子、光电子、半导体物理、电子信息、材料物理等相关背景的同学加入。 内容来自集群智慧云企服 发明专利4999元代写全部资料全国受理

荣誉获奖

荣誉获奖 Awards Information 曾获中国科学院首届“王守武”奖学金，中国科学院朱李月华优秀博士毕业生，中科院半导体所所长奖，西北工业大学微电子学院“课程思政”教学竞赛二等奖等。 内容来自集群智慧云企服 www.jiqunzhihui.net

科学研究

科学研究 Scientific Research 长期从事III-V族化合物半导体光电材料和器件的研究工作，主要包括基于GaN和GaAs材料的多量子阱发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、太阳电池（solar cell）、雪崩光电二极管（APD）等，在材料外延生长，性能表征，器件的制备与仿真分析等方面开展了大量研究工作，取得了一系列创新性成果，在SCI收录的国际高水平期刊上累计发表相关科研论文30余篇，获得了多项国家发明专利的授权，承担并完成了国家自然科学基金、陕西省重点研发计划、中国博士后科学基金等多个国家级和省部级科研项目。

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学术成果

学术成果 Academic Achievements 以第一和通信作者身份发表的代表性文章及授权的发明专利如下：Wei Liu*, et al. "A simulation study of carrier capture ability of the last InGaN quantum well with different indium content for yellow-light-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells", Micromachines, vol. 14, pp. 1669 (2023)Shuyuan Zhang, Wei Liu*, et al. "Influence of well position on the electroluminescence characteristics of InGaN/GaN single quantum well red light-emitting diodes", J. Lumin. vol. 250, pp. 119090 (2022) Wei Liu, et al. "Reduction in the Photoluminescence Intensity Caused by Ultrathin GaN Quantum Barriers in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells", Crystals vol. 12, pp. 339 (2022) Wei Liu, et al. "Enhanced initial photocurrent caused by the multiplication process at punch-through voltage in InGaAs/InP avalanche photodiode with highly doped charge layer", Infrared Phys. Techn. vol. 124, pp. 104218 (2022)Wei Liu, et al. "Suppression of hole leakage by increasing thickness of the first AlGaN barrier layer for GaN/AlGaN ultraviolet light-emitting diode", Phys. Lett. A vol. 408, pp. 127471 (2021) Wei Liu, et al. "Leakage of holes induced by Si doping in the AlGaN first barrier layer in GaN/AlGaN multiple-quantum-well ultraviolet light-emitting diodes", J. Lumin. vol. 231, pp. 117806 (2021) Wei Liu, et al. "Energy band tilt in ultra-thin InGaN film affected by the surface adsorption and desorption", Appl. Surf. Sci. vol. 456, pp. 487-492 (2018) Wei Liu, et al. "Effect of carrier transfer process between two kinds of localized potential traps on the spectral properties of InGaN/GaN multiple quantum wells", Opt. Express vol. 36, pp. 3427-3434 (2018) Wei Liu, et al. "Influence of indium content on the unintentional background doping and device performance of InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells", IEEE J. Photovolt. vol. 7, pp. 1017-1023 (2017) Wei Liu, et al. "Comparative study on the InGaN multiple-quantum-well solar cells assisted by capacitance-voltage measurement with additional laser illumination", J. Alloy Compd. vol. 725, pp. 1130-1135 (2017) Wei Liu, et al. "Increase of photogenerated carriers in thick quantum wells in InGaN solar cells verified by laser-assisted capacitance-voltage measurement", Mater. Res. Express vol. 4, pp. 045906 (2017)Wei Liu, et al. "Shockley-Read-Hall recombination and efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes", J. Phys. D Appl. Phys. vol. 49, pp. 145104 (2016) Wei Liu, et al. "Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes", Superlattice Microst. vol. 96, pp. 220-225 (2016) Wei Liu, et al. "Temperature dependence of photoluminescence spectra for green light emission from InGaN/GaN multiple wells”, Opt. Express vol. 23, pp. 15935-15943 (2015) Wei Liu, et al. "Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness”, J. Alloy Compd. vol. 625, pp. 266–270 (2015) Wei Liu, et al. "Effect of localization states on the electroluminescence spectral width of blue–green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells”, J. Vac. Sci. Technol. A vol. 33, pp. 061502 (2015)Wei Liu, et al. "The difference in efficiency droop behaviors of two InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes with modified structural parameters”, Superlattice Microst. vol. 88, pp. 50-55 (2015) 刘炜 等，绿光LED芯片外延层的结构及生长方法，授权公告号：CN105047772B（2018）刘炜 等，一种雪崩光电二极管及其制备方法，授权公告号：CN106299016B（2018） 刘炜 等，InGaN量子点的外延结构及生长方法，授权公告号：CN104538524B（2017）刘炜 等，基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法，授权公告号：CN105206725B（2017）

综合介绍

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