哈尔滨工业大学

王天琦

发布日期:2024-05-10 浏览次数:

基本信息 教学研究 科学研究 论文著作 学术交流 新建主栏目 基本信息 名称 王天琦,黑龙江省兰西县人。 现就职于空间环境与物质科学研究院(国家大科学工程)-器件离子辐照研究系统-主任设计师,空间电子学研究室主任。从事器件/材料空间环境效应试验方法研究和装置的构建。 作为项目负责人,主持国家自然科学基金面上项目、青年基金、四川省基金重点项目、国家重点实验室基金项目、黑龙江省自然科学基金项目、哈尔滨市科技人才创新基金项目、哈尔滨工业大学科技创新基金相关项目。 现为IEEE Transactions on Nuclear Science, IEEE Transactions on Device and Material Reliability,Microelectronic Reliability等电子元器件可靠性国际著名期刊审稿人。《现代应用物理》期刊青年编委。 负责宇航电子元器件辐射效应机理和鉴定试验,包括: 1)电子元器件重离子单粒子试验,离子种类包括:Kr(LET>37MeV.cm2/mg)、Ta(LET>75MeV.cm2/mg)、Bi(LET>99.8MeV.cm2/mg); 2)电子元器件质子单粒子试验,质子能量50MeV~300MeV连续可调; 3)10MeV质子和1MeV电子材料器件辐射试验; 4)宽温域电子元器件试验。 工作经历 标题 工作经历 起讫时间 2016.4-至今 职位/职称 主任设计师 工作单位 哈尔滨工业大学大科学工程专项建设指挥部暨空间基础科学研究中心 简单介绍 教育经历 标题 博士 起讫时间 2011.03-2016.01 所学专业 微电子学与固态电子学 学习机构 哈尔滨工业大学 学历 博士 简单介绍 荣誉称号 主要任职 讲授课程 名称 所讲的主要课程 招生信息 名称 招收:微电子学与固体电子学 硕士、博士。 研究领域 名称 1、集成电路设计; 2、集成电路辐照效应研究; 3、第三代半导体器件; 4、单粒子效应试验技术 科研项目 项目名称 β-Ga2O3材料及肖特基势垒二极管空间综合环境失效机理和评价技术研究 项目来源 国家自然科学基金 面上项目 开始时间 2020.01 结束时间 2024.12 项目经费 64万元 担任角色 负责 项目类别 纵向项目 项目状态 进行中 简单介绍 项目名称 基于电路响应的SRAM存储器电荷收集量化及错误率评估技术研究 项目来源 国家自然科学基金 青年基金 开始时间 201701 结束时间 201912 项目经费 25 担任角色 负责 项目类别 纵向项目 项目状态 完成 简单介绍 项目名称 XXXXXXXXXXX 项目来源 XXXXXX 开始时间 2022-11 结束时间 2027011 项目经费 90 担任角色 参与 项目类别 纵向项目 项目状态 进行中 简单介绍 奖项成果 论文期刊 论文标题 Single Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume 作者 Tianqi Wang,Liyi Xiao,Mingxue Huo,Bin Zhou,Chunhua Qi,Shanshan Liu,Xuebing Cao,Rongsheng,Zhang,and Jing Guo 发表时间 2015 期刊名称 IEEE Transactions on Nuclear Science 期卷 2015,62 (6):3207-3215 简单介绍 器件辐照效应研究国际知名SCI期刊 专利 出版物 教学成果 名称 教学成果展示

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