赵清华

个人经历 Personal experience 工作经历 教育经历 工作经历：12/2021 ~ 至今         西北工业大学材料学院  辐射探测材料与器件工信部重点实验室团队          教授01/2021 ~ 10/2021    马德里材料科学研究所     二维材料及器件实验室                                     博士后                                  合作导师：Dr. Andres Castellanos-Gomez  Dr. Riccardo Frisenda 09/2017 ~ 12/2020   马德里自治大学    科学学院     凝聚态物理专业            博士      导师：Dr. Andres Castellanos-Gomez  Dr. Riccardo Frisenda09/2013 ~ 04/2016   西北工业大学        材料学院     材料学专业                    硕士      导师：王涛09/2009 ~ 07/2013   西北工业大学        材料学院     材料科学与工程专业    学士

教育教学

教育教学 Education and teaching 招生信息 欢迎报考本团队的硕士和博士研究生，表现优秀者可获得赴西班牙、意大利、奥地利、瑞士等国际顶尖研究团队的深造机会。

荣誉获奖

荣誉获奖 Awards Information 1，获得马德里自治大学优等博士论文CUM LAUDE荣誉。2，入选2020海外高层次人才。

科学研究

学术成果 Academic Achievements 代表性论文：1.       Qinghua Zhao, Riccardo Frisenda*, Patricia Gant, David Perez de Lara, Carmen Munuera, Mar Garcia‐Hernandez, Yue Niu, Tao Wang*, Wanqi Jie, Andres Castellanos‐Gomez*, Toward air stability of thin GaSe devices: avoiding environmental and laser‐induced degradation by encapsulation, Advanced Functional Materials, 2018, 28(47): 1805304.（一区Top，IF：16.836）该工作有效地解决了二维GaSe材料环境退化的难题。2.       Qinghua Zhao, Riccardo Frisenda*, Tao Wang*, Andres Castellanos-Gomez*, InSe: a two-dimensional semiconductor with superior flexibility, Nanoscale, 2019,11(20): 9845-9850.（一区Top，IF：6.895）首次报道了InSe材料超低杨氏模量的实验值。3.       Qinghua Zhao, Wei Wang, Felix Carrascoso-Plana, Wanqi Jie, Tao Wang*, Andres Castellanos-Gomez*, Riccardo Frisenda*, The role of traps in the photocurrent generation mechanism in thin InSe photodetectors, Materials Horizons, 2020, 7(1): 252-262. （一区Top，IF：14.356；2020 ESI高被引论文；入选Materials Horizons 2020年度文章精选合集和2020年度最受欢迎论文合集（共20篇））揭示了俘获缺陷对InSe光探测器性能的影响机理，为InSe光探测器的可控制备提供了理论支持和技术方案。4.       Qinghua Zhao, Wanqi Jie, Tao Wang*, Andres Castellanos‐Gomez*, Riccardo Frisenda*, InSe schottky diodes based on van der Waals contacts, Advanced Functional Materials, 2020, 30(24): 2001307. （一区Top，IF：16.836）在抑制界面杂质、消除费米能级钉扎、优化二维光电子器件响应方面具有重要意义。5.       Qinghua Zhao, Tao Wang*, Riccardo Frisenda*, Andres Castellanos‐Gomez*, Giant piezoresistive effect and strong bandgap tunability in ultrathin InSe upon biaxial strain, Advanced Science, 2020, 7(20): 2001645.（一区Top，IF：15.84，引用9次）证明了通过机械变形调节二维材料性能的可行性。代表性专利：1.       赵清华；王涛；介万奇；安德烈斯 ？卡斯泰拉诺斯？戈麦斯；里卡多？夫里森达；一种金属-二维硒化铟-石墨肖特基二极管及其制备方法，2020-10-30，中国， 202010302170.02.       赵清华；王涛；介万奇；安德烈斯 ？卡斯泰拉诺斯？戈麦斯；里卡多？夫里森达；基于铂-二维硒化铟-少层石墨肖特基二极管的光存储器件及存储方法，2020-10-21，中国，202010302170.03.       赵清华；王涛；介万奇；安德烈斯 ？卡斯泰拉诺斯？戈麦斯；里卡多？夫里森达；一种二维材料转移组装系统，2020-08-07，中国，ZL202020288262.34.       赵清华；王涛；介万奇；安德烈斯 ？卡斯泰拉诺斯？戈麦斯；里卡多？夫里森达；一种基于二维硒化铟光存储器件，2021-06-15，中国，202022362007.1       5.       王涛（导师）；赵清华；介万奇；谢涌；何杰；二维碲化镓材料的制备方法，2016-04-27，中国，CN104528664B

学术成果

社会兼职 Social Appointments Nanoscale, Electronic Device Letters, Optics Express, The journal of Physical Chemistry C, Applied Physics Letters, Applied Materials Today, Advanced Materials Interface, ACS Applied Nano Materials等学术期刊的特邀审稿人。

综合介绍

综合介绍 General Introduction 光电子器件是集成电路-光电子信息-光电子技术的核心与关键，是涉及多学科交叉的前沿创新高地。本研究团队主要聚焦于新型二维光电子器件的设计、构筑及其性能优化研究。 个人相册