齐春华

新页签 新建主栏目 基本信息 名称 齐春华，哈尔滨工业大学空间环境与物质科学研究院助理研究员，硕士生导师。2018年毕业于哈尔滨工业大学航天学院学院微电子学与固体电子学学科，获工学博士学位，同年留校参与建设国家重大科技基础设施"空间环境地面模拟装置"。 主要从事模拟集成电路设计、传感器接口电路设计、集成电路器件辐照效应机理及抗辐射加固方法研究工作。发表论文20余篇，申请发明专利10余项。主持及参与国家自然科学基金、博士后科学基金、国家部委基金项目10余项。 论文期刊 论文标题 Design of a high-performance 12T SRAM cell for single event upset tolerance 作者 Chunhua QI, Yanqing ZHANG, Guoliang MA, et al 发表时间 2021.9.3 期刊名称 SCIENCE CHINA Information Sciences 期卷 Vol. 64 219401:1–219401:2 简单介绍 论文标题 A Highly Reliable Memory Cell Design Combined With Layout-Level Approach to Tolerant Single-Event Upsets 作者 Chunhua Qi, Liyi Xiao, Tianqi Wang, Jie Li, and Linzhe Li 发表时间 2016.9.3 期刊名称 IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY 期卷 VOL.16, NO.3 简单介绍 论文标题 Low cost and highly reliable radiation hardened latch design in 65 nm CMOS technology 作者 Chunhua Qi, Liyi Xiao, Jing Guo, Tianqi Wang 发表时间 2015.3.15 期刊名称 Microelectronics Reliability 期卷 55 简单介绍 论文标题 Radiation-hardened flip-flop for single event upset tolerance 作者 Chunhua Qi, Guoliang Ma, Yanqing Zhang, et al 发表时间 2023.3.17 期刊名称 Microelectronics International 期卷 Volume 40 Issue 2 简单介绍 论文标题 Observation of single event burnout (SEB) in an SOI NLDMOSFET using a pulsed laser 作者 Lei Shua, Chun-Hua Qi, Kenneth F. Gallowayb, et al 发表时间 2020.11.7 期刊名称 Microelectronics Reliability 期卷 116 简单介绍 专利 专利名称 一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元 专利号 ZL201811554118.3 发明人 齐春华，张延清，王天琦，刘超铭，马国亮，霍明学，肖立伊 申请时间 20181219 专利类别 发明 简单介绍 专利名称 一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法 专利号 ZL202010378931.0 发明人 霍明学，齐春华，张延清，王天琦，王新胜，刘超铭，马国亮 申请时间 20200507 专利类别 发明 简单介绍 专利名称 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器 专利号 ZL2018115547141 发明人 王天琦，刘超铭，齐春华，马国亮，张延清，霍明学，肖立伊 申请时间 20181219 专利类别 发明 简单介绍